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金属氧化物场效应管
Metaloxide Semiconductor Field Effect Transistors
创建时间:2005-12-30 最后修改时间:2006-10-29
分类 子类 型号 封装 Vds Vgs Id Pd Rds (on)/max Qg
25°C 70°C 25°C 70°C 20V 10V >4.5V 2.5V 1.8V 1.5V
V V A A W W
金属氧化物
场效应管
单个N沟道场效应管
AO3402 SOT-23 30.0 12.0 4.0 3.4 1.4 1.0 - 55.0 70.0 110.0 - - 4.3
单个P沟道场效应管
AO3401 SOT-23 -30.0 12.0 -4.2 -3.5 1.4 1.0 - 50.0 65.0 120.0 - - 9.4
两个P沟道场效应管
STM4953 SOP-8 -30 20 -4.5 - 2.0 - - 55 85 - - - 12.7
上海诺必信电子
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